Transistors. Page 80 sur 114. Avtronic

Transistor IRFL9110

2.69€ TTC

88 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 1.1A. Puissance: 3.1W. Résistance passante: 1.2 Ohms. Boîtier: CMS SOT-223.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP044N

6.72€ TTC

98 En stock

Transistor IRFP044N N-MOS 55V 53A 120W<0.020R(29A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 53 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 29 A. Rds (Ohms): 0.02. Puissance: 120 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP048

12.54€ TTC

19 En stock

Transistor IRFP048 N-MOS 60V 70A 190W<0.018R(44A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 70 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 44 A. Rds (Ohms): 0.018. Puissance: 190 W

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFP048NPBF

7.11€ TTC

83 En stock

Transistor MOSFET canal-N 55V 64A/210Ap 140W. Résistance passante RDSon : 0.016 Ohms (45A)

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP054

9.97€ TTC

37 En stock

Transistor IRFP054 N-MOS 60V 70A 230W<0.014R(54A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 70 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 54 A. Rds (Ohms): 0.014. Puissance: 230 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP054N

7.50€ TTC

108 En stock

Transistor IRFP054N N-MOS 55V 81A 170W<0.012R(43A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 81 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.012. Puissance: 170 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP064N

7.28€ TTC

149 En stock

Transistor IRFP064N N-MOS 55V 110A/390Ap. 200W 0.008R(59A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 110 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 59 A. Rds (Ohms): 0.008.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP140

7.62€ TTC

74 En stock

Transistor IRFP140 N-MOS 100V 31A 180W 0.77R(19A). HEXFET TO-247AC. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Paire: IRFP9140. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 31 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 19 A. Rds (Ohms): 0.77.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP140A

7.84€ TTC

27 En stock

Transistor IRFP140A N-MOS 100V 31A 131W 0.51R(15.5. HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 31 A. Rds (Ohms): 0.51. Puissance: 131 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP140N

6.61€ TTC

71 En stock

Transistor IRFP140N N-MOS 100V 33A 140W 0.52R(16A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 16 A. Rds (Ohms): 0.52. Puissance: 140 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP150

8.06€ TTC

49 En stock

Transistor IRFP150 N-MOS 100V 41A 230W 0.55R(25A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 41 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 25 A. Rds (Ohms): 0.55. Puissance: 230 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP150N

6.33€ TTC

39 En stock

Transistor IRFP150N N-MOS 100V 42A 160W 0.36R(22A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 22 A. Rds (Ohms): 0.36. Puissance: 160 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP22N50A

16.91€ TTC

32 En stock

Transistor IRFP22N50A N-MOS 500V 22A/88Ap. 277W 0.23R (13A). HEXFET Power Mosfet. SMPS MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 22 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13 A. Rds (Ohms): 0.23.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP22N60K

19.26€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRFP22N60K N-MOS 600V 22A 370W 0.24R (13A). HEXFET Power Mosfet. SMPS MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 22 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13 A. Rds (Ohms): 0.24.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP240

7.00€ TTC

175 En stock

Transistor IRFP240 N-MOS 200V 20A 150W 0.18R(12A). HEXFET TO247. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Paire: IRFP9240. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.18.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP250N

6.33€ TTC

143 En stock

Transistor IRFP250N N-MOS 200V 30A 214W 0.075R(21A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 30 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 21 A. Rds (Ohms): 0.075.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP260N

8.79€ TTC

87 En stock

Transistor IRFP260N N-MOS 200V 50A 300W 0.04R(35A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 50 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 35 A. Rds (Ohms): 0.04.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP264

11.37€ TTC

18 En stock

Transistor IRFP264 N-MOS 250V 38A/150Ap. 280W 0.075R(24A). HEXFET Power MOSFET. Idm: 150App. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 38 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 24 A. Rds (Ohms): 0.075.

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFP27N60KPBF

19.21€ TTC

20 En stock

Transistor MOSFET canal-N 600V 27A/110Ap 500W. Résistance passante RDSon : 0.18 Ohms (18A)

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Tarifs dégressifs

Transistor IRFP2907

16.24€ TTC

65 En stock

Transistor IRFP2907 N-MOS 75V 209A 470W 0.036R. V-MOS TO247A. POWER MOSFET. Constructeur: IR. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 209 A. Rds (Ohms): 0.036. Puissance: 470 W

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRFP3006PBF

17.58€ TTC

38 En stock

Transistor MOSFET canal-N 60V 270A/1080Ap 375W. Résistance passante RDSon : 0.0021 Ohms

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor IRFL9110

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 1.1A. Puissance: 3.1W. Résistance passante: 1.2 Ohms. Boîtier: CMS SOT-223.

Transistor IRFP044N

Transistor IRFP044N N-MOS 55V 53A 120W<0.020R(29A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 53 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 29 A. Rds (Ohms): 0.02. Puissance: 120 W

Transistor IRFP048

Transistor IRFP048 N-MOS 60V 70A 190W<0.018R(44A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 70 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 44 A. Rds (Ohms): 0.018. Puissance: 190 W

Transistor MOSFET canal-N IRFP048NPBF

Transistor MOSFET canal-N 55V 64A/210Ap 140W. Résistance passante RDSon : 0.016 Ohms (45A)

Transistor IRFP054

Transistor IRFP054 N-MOS 60V 70A 230W<0.014R(54A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 70 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 54 A. Rds (Ohms): 0.014. Puissance: 230 W

Transistor IRFP054N

Transistor IRFP054N N-MOS 55V 81A 170W<0.012R(43A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 81 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 43 A. Rds (Ohms): 0.012. Puissance: 170 W

Transistor IRFP064N

Transistor IRFP064N N-MOS 55V 110A/390Ap. 200W 0.008R(59A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 110 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 59 A. Rds (Ohms): 0.008.

Transistor IRFP140

Transistor IRFP140 N-MOS 100V 31A 180W 0.77R(19A). HEXFET TO-247AC. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Paire: IRFP9140. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 31 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 19 A. Rds (Ohms): 0.77.

Transistor IRFP140A

Transistor IRFP140A N-MOS 100V 31A 131W 0.51R(15.5. HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 31 A. Rds (Ohms): 0.51. Puissance: 131 W

Transistor IRFP140N

Transistor IRFP140N N-MOS 100V 33A 140W 0.52R(16A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 16 A. Rds (Ohms): 0.52. Puissance: 140 W

Transistor IRFP150

Transistor IRFP150 N-MOS 100V 41A 230W 0.55R(25A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 41 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 25 A. Rds (Ohms): 0.55. Puissance: 230 W

Transistor IRFP150N

Transistor IRFP150N N-MOS 100V 42A 160W 0.36R(22A). HEXFET. PowerMOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 22 A. Rds (Ohms): 0.36. Puissance: 160 W

Transistor IRFP22N50A

Transistor IRFP22N50A N-MOS 500V 22A/88Ap. 277W 0.23R (13A). HEXFET Power Mosfet. SMPS MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 22 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13 A. Rds (Ohms): 0.23.

Transistor IRFP22N60K

Transistor IRFP22N60K N-MOS 600V 22A 370W 0.24R (13A). HEXFET Power Mosfet. SMPS MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 22 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13 A. Rds (Ohms): 0.24.

Transistor IRFP240

Transistor IRFP240 N-MOS 200V 20A 150W 0.18R(12A). HEXFET TO247. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Paire: IRFP9240. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.18.

Transistor IRFP250N

Transistor IRFP250N N-MOS 200V 30A 214W 0.075R(21A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 30 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 21 A. Rds (Ohms): 0.075.

Transistor IRFP260N

Transistor IRFP260N N-MOS 200V 50A 300W 0.04R(35A). HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 50 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 35 A. Rds (Ohms): 0.04.

Transistor IRFP264

Transistor IRFP264 N-MOS 250V 38A/150Ap. 280W 0.075R(24A). HEXFET Power MOSFET. Idm: 150App. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 38 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 24 A. Rds (Ohms): 0.075.

Transistor MOSFET canal-N IRFP27N60KPBF

Transistor MOSFET canal-N 600V 27A/110Ap 500W. Résistance passante RDSon : 0.18 Ohms (18A)

Transistor IRFP2907

Transistor IRFP2907 N-MOS 75V 209A 470W 0.036R. V-MOS TO247A. POWER MOSFET. Constructeur: IR. Tension de Drain maxi: 75 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 209 A. Rds (Ohms): 0.036. Puissance: 470 W

Transistor MOSFET canal-N IRFP3006PBF

Transistor MOSFET canal-N 60V 270A/1080Ap 375W. Résistance passante RDSon : 0.0021 Ohms

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